場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。

　　與雙極型晶體管相比，具有如下特點(diǎn)

　　(1)場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID;

　　(2)場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大;

　　(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好;

　　(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);

　　(5)場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);

　　(6)由于不存在雜亂運(yùn)動的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

　　場效應(yīng)管與普通晶體管有何異同

　　場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。

　　場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)

　　場效應(yīng)管(fet)是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。場效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然現(xiàn)在多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管，但稍不注意，也會損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。

　　主要作用

　　1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

　　2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

　　3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

　　4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

　　5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

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